Wzbogacone elektronami antyferromagnetyki nadzieją na lepsze nośniki danych
28 maja 2021, 08:00Fizycy z Massachusetts Institute of Technology (MIT) odkryli sposób na szybsze przełączanie stanu antyferromagnetyków. Opracowana przez nich technologia zakłada wzbogacenie materiału antyferromagnetycznego o dodatkowe elektrony. Takie materiały posłużą do budowy szybciej działających nośników danych o większej gęstości i lepszej stabilności.
W Georgii powstał jednowarstwowy grafenowy półprzewodnik
5 stycznia 2024, 12:06Naukowcy z Georgia Institute of Technology stworzyli funkcjonalny półprzewodnik z grafenu, jednoatomowej warstwy węgla. Ich prace daje nadzieję na szerokie wykorzystanie tego materiału w elektronice. Grafen, pomimo niezwykle obiecujących właściwości, nie trafił do szerokiego użycia w podzespołach elektronicznych. Brak mu tzw. pasma wzbronionego, które umożliwia „włączanie” i „wyłączanie” prądu, a tym samym kodowanie informacji. Dotychczas udawało się uzyskać pasmo wzbronione w dwuwarstwowym grafenie. Specjaliści z Georgia Tech uzyskali w jednowarstwowym grafenie pasmo wzbronione o szerokości 0,6 eV.
Pierwsza trójwymiarowa mapa wszechświata
8 stycznia 2007, 16:22Astronomowie stworzyli pierwszą trójwymiarową mapę wszechświata, w której uwzględniono "ciemną materię”, która stanowi aż 25% kosmosu. Skład "ciemnej materii” nie jest znany, jednak wiadomo, że bez niej wszechświat nie może istnieć.
Tranzystor sezonowany
4 grudnia 2007, 00:16Układy elektroniczne z tworzyw sztucznych mają być dość powolne i duże, ale za to niezwykle tanie, a przez to – powszechnie dostępne. Zanim jednak w sklepach pojawią się płatki śniadaniowe w "elektronicznych" opakowaniach, na których będą odtwarzane reklamówki, konieczne jest udoskonalenie technologii wytwarzania plastikowych obwodów. Jedną z ciekawszych metod usuwania defektów z takich tranzystorów odkryli naukowcy zatrudnieni w szwajcarskim Federal Institute of Technology. Polega ona na... tygodniowej bezczynności.
Od węgorza do zasilania implantów
7 października 2008, 11:05Badacze z Yale University i National Institute of Standards and Technology (NIST) ulepszyli działanie elektocytów węgorza elektrycznego (Electrophorus electricus). Dzięki temu uzyskują wyższe napięcie, które mają nadzieję wykorzystać do zasilania implantów i innych aparatów medycznych.
Prowadzenia auta pogarsza rozumienie mowy
25 stycznia 2010, 16:26Nie tylko rozmowa nie sprzyja sprawnej czy bezpiecznej jeździe samochodem, ale i prowadzenie auta zaburza zdolność rozumienia oraz używania języka – twierdzą naukowcy z University of Illinois.
BLADE na ataki
7 października 2010, 11:29Na Georgia Institute of Technology powstało oprogramowanie BLADE, które chroni przed infekcjami dokonywanymi za pomocą coraz popularniejszej techniki "drive-by downloads". Technika ta, ogólnie mówiąc, polega na wgraniu na komputer ofiary, bez jej wiedzy i zgody, szkodliwego oprogramowania.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Ewolucja - reloaded
12 lipca 2012, 12:52Naukowcy z Georgia Institute of Technology posłużyli się procesem zwanym ewolucją paleoeksperymentalną i umieścili gen bakterii sprzed 500 mln lat we współczesnym organizmie - pałeczce okrężnicy (Escherichia coli).
Sygnał narodzin czarnej dziury
6 maja 2013, 10:38Zdaniem astrofizyków z California Institute of Technology (Caltech), bezpośrednio przed utworzeniem się czarnej dziury może pojawiać się rozbłysk światła. Jeśli mają oni rację, to możliwe będzie obserwowanie samego procesu powstawania czarnych dziur.
